申请/专利权人:深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日:2023-12-28
公开(公告)日:2024-03-29
公开(公告)号:CN117778993A
主分类号:C23C16/44
分类号:C23C16/44;C23C16/511;B08B7/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开
摘要:本发明公开了一种MPCVD设备钼托清洁方法,其包括:将待清洁钼托置于MPCVD设备中;启动MPCVD设备,并通入氢气与氧气,以产生氢氧等离子体对待清洁钼托表面的沉积物进行刻蚀处理;降低待清洁钼托的表面温度,并关闭MPCVD设备;将待清洁钼托从MPCVD设备中取出,并对待清洁钼托表面的沉积物进行剥离处理。本发明通过将待清洁钼托放置在反应腔内,其后通过对通入的氢气与氧气起辉激发以产生氢氧等离子体进而对待清洁钼托表面的沉积物进行刻蚀,再通过降温处理,可以降低沉积物和钼托表面的结合力,因而可以轻易地将沉积物从钼托表面剥离,不需要使用额外的设备工具,操作简单,且不会对钼托造成损伤,可以提高钼托的耐用性。
主权项:1.一种MPCVD设备钼托清洁方法,其特征在于,包括:将待清洁钼托置于MPCVD设备中;启动MPCVD设备,并通入氢气与氧气,以产生氢氧等离子体对待清洁钼托表面的沉积物进行刻蚀处理;降低待清洁钼托的表面温度,并关闭MPCVD设备;将待清洁钼托从MPCVD设备中取出,并对待清洁钼托表面的沉积物进行剥离处理。
全文数据:
权利要求:
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