申请/专利权人：易安爱富科技有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117778012A

主分类号：C09K13/00

分类号：C09K13/00;H01L21/02

优先权：["20220929 KR 10-2022-0124070"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.10#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种用于对IGZO基板进行轻微蚀刻slightetch及光刻胶剥离的组合物。根据本发明，可通过调节剥离液的IGZO蚀刻速率etchrate来增加表面清洗及电子迁移率，从而提高IGZO元件特性。另外，可在不损害IGZO元件特性的同时，改善光刻胶剥离性能。

主权项：1.一种IGZO基板用剥离液组合物，其中，包含：有机溶剂，以及以下述化学式1表示的胺化合物；并且不含氟化合物，[化学式1] 在所述化学式1中，R1、R2各自独立地为H、OH或C1-4烷基，其中，R1及R2不同时为H。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 易安爱富科技有限公司 IGZO基板用剥离液组合物、其制备方法及半导体元件

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