申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790194A

主分类号：H01G9/20

分类号：H01G9/20;H01G9/042

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：一种基于n‑SiPtMo:BiVO4Z型异质结的水氧化光阳极及其制备方法，水氧化光阳极为层状，包括n‑Si衬底，在n‑Si衬底上依次负载了Pt层和Mo:BiVO4层；方法为，洗净的n‑Si在碱液中保温刻蚀，取出后用去离子水洗净，并用HF溶液去除表面的氧化层，在n‑Si表面得到正金字塔型结构，以形貌构筑后的n‑Si为衬底，在表面上磁控溅射Pt层，配置Mo:BiVO4前驱体溶液，将Mo:BiVO4前驱体溶液旋涂在Pt层表面，把pt层表面全部覆盖后烘干，高温退火后，在NaOH溶液中洗去多余的氧钒，得到n‑SiPtMo:BiVO4Z型异质结水氧化光阳极；本发明可防止后续的高温退火在硅表面形成厚氧化层而影响光电水氧化器件性能，提高了光电转换效率，具有制备方法简单、性能优越、过程可控性强的优点。

主权项：1.一种基于n-SiPtMo:BiVO4Z型异质结的水氧化光阳极，其特征在于，所述水氧化光阳极为层状，包括n-Si衬底，在n-Si衬底上依次负载了Pt层和Mo:BiVO4层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于n-Si/Pt/Mo:BiVO₄Z型异质结的水氧化光阳极及其制备方法

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