申请/专利权人：南昌大学

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117288246B

主分类号：G01D18/00

分类号：G01D18/00;G01D3/028

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开

摘要：本发明提供了一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法及系统，包括：校正信号采集单元，用于测量多象限探测器的不同象限芯片在不同光源输出光功率下和标准黑体下的响应电压；校正计算单元，用于根据不同条件下采集的响应电压，计算多象限探测器的不同象限芯片的校正参数，并写入对应信号放大器中；合格判定单元，用于根据计算的分压电阻比例和在不同温度下的暗电压是否符合预设阈值；若符合预设阈值，则认为多象限探测器中对应象限的芯片合格；否则认为多象限探测器中对应象限的芯片不合格。本发明通过对各象限芯片的响应电压值和不同温度下暗电压进行校正，有效解决了因制造工艺限制，导致每个象限芯片的性能参数都存在一定差异的问题。

主权项：1.一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法，其特征在于：包括以下步骤：S1:利用具有热电子效应的芯片的饱和光功率对应的特定波长范围光源，照射基于热电子效应的多象限探测器各象限芯片，并通过调节各象限芯片对应分压电阻比例，将响应电压都调到饱和光功率对应的均值电压，即 ，其中，N为多象限探测器象限个数，为第i个象限芯片探测的饱和功率电压值；S2:将多象限探测器放置在温度可调的恒温环境，并对准标准黑体，采集各象限芯片在不同温度下的暗电压，为第i个象限芯片的暗电压；S3:基于各象限芯片的入射光强和响应电压关系，通过特定波长的非饱和光功率的光源照射多象限探测器各象限芯片所采集的响应电压，计算对应校正系数，如下式所示： ，S4:多象限探测器的各象限芯片都有独立的信号放大器，用于校准不同光电探测芯片间与参考芯片之间偏差值；根据不同条件下采集的响应电压，计算多象限探测器的不同象限芯片的校正参数，并写入对应信号放大器中；S5:根据计算的分压电阻比例和在不同温度下的暗电压是否符合预设阈值；若符合预设阈值，则认为多象限探测器中对应象限的芯片合格；否则认为多象限探测器中对应象限的芯片不合格。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌大学 一种基于热电子效应的多象限探测器校正检测方法及系统

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