申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司

申请日：2021-12-10

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN114203838B

主分类号：H01L31/0232

分类号：H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/12;H01L31/18;H01L33/00;H01L33/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本发明公开了一种集成侧向探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括衬底以及形成在所述衬底上的外延片，所述外延片的上表面形成有向下贯通所述外延片的隔离槽，所述外延片的上表面对应所述隔离槽的一侧形成有一与所述隔离槽并列设置的脊波导，且在该侧沿脊波导的长度方向依次形成有一有源区和无源吸收区，所述外延片对应所述隔离槽的另一侧且与所述有源区相对的位置处形成有一侧向探测区，能有效改善超辐射发光二极管的纹波系数，并且降低引入无源吸收区对侧向探测器光探测能力的影响。

主权项：1.一种集成侧向探测器的超辐射发光二极管芯片，包括衬底以及形成在所述衬底上的外延片，其特征在于，所述外延片的上表面形成有向下贯通所述外延片的隔离槽，所述外延片的上表面对应所述隔离槽的一侧形成有一与所述隔离槽并列设置的脊波导，且在该侧沿脊波导的长度方向依次形成有一有源区和无源吸收区，所述外延片对应所述隔离槽的另一侧且与所述有源区相对的位置处形成有一侧向探测区；所述隔离槽内从下至上依次层叠生长有形成一导光通道的第一非掺杂二元材料层、非掺杂四元材料导光层以及第二非掺杂二元材料层，所述有源区产生的侧向光沿导光通道向侧向探测区传播以被所述侧向探测区吸收。

全文数据：

权利要求：

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