申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-08-02

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN220693126U

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权

摘要：本实用新型公开了一种反射式单刀四掷开关芯片，属于电子通信技术领域。该开关芯片包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口IN连接，四条电路的输出端分别为射频输出端口。本实用新型采用GaAsFET开关，相比PIN开关具有偏置网络简单、控制电流小、驱动电路简化、开关速度快等优势，且性能比较高，使用非常方便；同时，本实用新型中，频率范围覆盖DC‑20GHz，输入输出端口匹配阻抗为50Ω。

主权项：1.一种反射式单刀四掷开关芯片，其特征在于，包括四条电路，四条电路的输入端均与射频端口IN连接，四条电路的输出端分别连接射频端口OUT1、射频端口OUT2、射频端口OUT3和射频端口OUT4；所述电路，包括依次连接的场效应管SW1、场效应管SW2、微带线TL1、场效应管SW3、场效应管SW4、场效应管SW5、微带线TL2、场效应管SW6；以及依次连接的场效应管SW7、场效应管SW8、微带线TL3、场效应管SW9；以及依次连接的场效应管SW10、场效应管SW11、微带线TL4、场效应管SW12、场效应管SW13、场效应管SW14、微带线TL5、场效应管SW15；以及依次连接的场效应管SW16、场效应管SW17、微带线TL6、场效应管SW18；所述微带线TL1一端与场效应管SW2相连，另一端与场效应管SW3、场效应管SW4和场效应管SW7相连；所述微带线TL2一端连接场效应管SW5，另一端连接场效应管SW6；所述微带线TL3一端连接场效应管SW8，另一端连接场效应管SW9；所述微带线TL4一端与场效应管SW11相连，另一端与场效应管SW12、场效应管SW13和场效应管SW16相连；所述微带线TL5一端连接场效应管SW5，另一端连接场效应管SW6；所述微带线TL6一端连接场效应管SW17，另一端连接场效应管SW18；所述场效应管SW1的栅极通过电阻R1连接到VC1端；所述场效应管SW2、场效应管SW3的栅极分别通过电阻R2、电阻R3连接到VC2端；所述场效应管SW4的栅极通过电阻R4连接到VC3端；所述场效应管SW5、场效应管SW6的栅极分别通过电阻R5、电阻R6连接到VC4端；所述场效应管SW7的栅极通过电阻R7连接到VC5端；所述场效应管SW8、场效应管SW9的栅极分别通过电阻R8、电阻R9连接到VC6端；所述场效应管SW10的栅极通过电阻R10连接到VC2端；所述场效应管SW11、场效应管SW12的栅极分别通过电阻R11、电阻R12连接到VC1端；所述场效应管SW13的栅极通过电阻R13连接到VC7端；所述场效应管SW14、场效应管SW15的栅极分别通过电阻R14、电阻R15连接到VC8端；所述场效应管SW16的栅极通过电阻R16连接到VC9端；所述场效应管SW17、场效应管SW18的栅极分别通过电阻R17、电阻R18连接到VC10端；场效应管SW2、场效应管SW3、场效应管SW5、场效应管SW6、场效应管SW8、场效应管SW9、场效应管SW11、场效应管SW12、场效应管SW14、场效应管SW15、场效应管SW17、场效应管SW18源极均接地。

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百度查询： 电子科技大学 一种反射式单刀四掷开关芯片

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