买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种存储器及电子设备_华为技术有限公司;复旦大学_202211196521.X 

申请/专利权人:华为技术有限公司;复旦大学

申请日:2022-09-29

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117812915A

主分类号:H10B43/10

分类号:H10B43/10;H10B43/30;H10B43/35

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.02#公开

摘要:本申请实施例提供一种存储器及电子设备,涉及存储器技术领域。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底,衬底上具有存储单元,该存储单元不仅包括电荷存储区,还包括位于电荷存储区两侧的选通管和隧穿场效应晶体管TFET,且TFET还包括设置于衬底上第一掺杂区和第二掺杂区之间、并且与第一掺杂区接触的第三掺杂区;由于第三掺杂区的掺杂类型与衬底相同,并且掺杂浓度大于衬底,因此增加了衬底与TFET的第一掺杂区之间的掺杂浓度梯度,在擦除操作时可以在更低的操作电压下提供更高的带带隧穿几率。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上形成有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区;其中,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同,所述第一掺杂区与所述衬底的掺杂类型不同;所述第三掺杂区设置于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间,且所述第三掺杂区与所述第一掺杂区接触;所述第三掺杂区与所述衬底的掺杂类型相同,并且所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度;设置于所述衬底上的第一控制栅、第二控制栅以及第三控制栅,所述第一控制栅设置于所述第二控制栅和所述第三控制栅之间,所述第一控制栅和所述第三控制栅覆盖于所述所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间,且与所述衬底绝缘;所述第二控制栅覆盖于所述第一掺杂区且与所述第一掺杂区绝缘;所述第一控制栅与所述衬底之间还设置有电荷存储层;所述电荷存储层与所述衬底以及所述第一控制栅绝缘。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华为技术有限公司;复旦大学 一种存储器及电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。