申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802579A

主分类号：C30B25/16

分类号：C30B25/16;C30B25/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置，包括MOCVD反应室腔体，腔体内设有石墨载片盘，石墨载片盘下方有分区发热的电阻炉发热体，用于给石墨载片盘加热；反应室腔体的圆心位置安装有高精度红外温度计来测量石墨载片盘中心的温度绝对值；反应室腔体的侧壁上安装有红外热像仪，红外热像仪与石墨载片盘法向夹角为θ，40°＜θ＜80°，红外热像仪通过反应室腔体的侧壁上的光学视窗监测整个石墨载片盘的温度相对值；高精度红外温度计测量的温度绝对值数据和红外热像仪将监测的温度相对值数据传输至上位机，上位机处理数据并运行温度调控程序驱动功率控制装置来实时调控对应区域的电阻炉发热体的发热功率，实现对石墨载片盘温度均匀性的调控。

主权项：1.一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置，所述装置包括MOCVD反应室腔体，其特征在于：所述MOCVD反应室腔体内设有石墨载片盘，所述石墨载片盘下方设有分区发热的电阻炉发热体，用于给所述石墨载片盘加热；所述MOCVD反应室腔体的圆心位置安装有高精度红外温度计来测量所述石墨载片盘中心的温度绝对值；所述MOCVD反应室腔体的侧壁上安装有红外热像仪，所述红外热像仪与所述石墨载片盘法向夹角为θ，40°＜θ＜80°，所述红外热像仪通过所述MOCVD反应室腔体的侧壁上的光学视窗监测整个石墨载片盘的温度相对值；所述高精度红外温度计和红外热像仪电连接上位机，所述上位机电连接功率控制装置，所述功率控制装置控制所述电阻炉发热体的发热功率；所述高精度红外温度计测量的温度绝对值数据和红外热像仪将监测的温度相对值数据传输至上位机，上位机处理所述数据并运行温度调控程序驱动所述功率控制装置来实时调控对应区域的所述电阻炉发热体的发热功率，实现对所述石墨载片盘温度均匀性的调控。

全文数据：

权利要求：

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