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申请/专利权人：无锡泓瑞航天科技有限公司
摘要：本发明涉及一种硅基底用减反膜组及其用途，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；膜组通过采用ZnS、Ge、YbF3三种材料进行膜系设计，通过物理气相沉积并以离子源辅助以及沉积温度等工艺条件进行光学膜镀制，可实现1‑7μm波段，T＜0.3％；7.5‑14μm波段，Tavg≥85％，通带更宽，透过率更高，具有更高的信噪比。
主权项：1.一种硅基底用减反膜组，其特征在于，所述硅基底用减反膜组包括设置于硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；所述第一膜系的结构为：硅基底0.247L、0.231H、0.181M、1.287L、1.152M、0.077H、1.109L、0.370H、0.431L、0.422H、0.694L、0.267H、0.0965M、0.751L、0.307H、0.555L、0.455H、0.539L、0.303H、0.874L、0.242H、0.592L、0.284H、0.296L、0.241H、0.515L、0.245H、0.558L、0.211H、0.291L、0.314H、0.511L、0.221H、1.599M、0.0656LAir；所述第二膜系的结构为：硅基底0.104L、0.0557M、0.338H、0.253L、0.175H、0.124L、0.333H、0.319L、0.284H、0.299L、0.219H、0.419L、0.280H、0.242L、0.213H、0.261L、0.319H、0.331L、0.119H、0.374L、0.141H、0.322L、0.094H、0.328L、0.151H、0.173L、0.302H、0.162L、0.133H、0.261L、0.176H、0.400L、1.253M、0.0548LAir；其中，H为λ04光学厚度Ge膜层，L为λ04光学厚度ZnS膜层，M为λ04光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气；具体制备过程如下：镀膜的方式将所述硅基底用减反膜组镀于硅基底得到；所述镀膜的温度为180-200℃。
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