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磁传感器 

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申请/专利权人:江苏多维科技有限公司

摘要:本申请提供了一种磁传感器。该磁传感器的第一磁阻元件的第一端与第二磁阻元件的第二端连接,并与外部输出连接;第一磁阻元件的第二端与外部电源连接;第一磁阻元件和第二磁阻元件均包括多个MR单元,多个MR单元组成的第一磁阻元件和多个MR单元组成的第二磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同;第一磁阻元件的多个MR单元和第二磁阻元件的多个MR单元有不同的连接方式,以使非零磁场下第一磁阻元件和第二磁阻元件的电阻相同。本申请通过设置桥式电路两桥臂部分相同的静态属性和MR单元不同的连接方式使该第一磁阻元件和第二磁阻元件在电阻不同,减少MR单元对磁场的影响。实现输出零点偏离磁场零点的同时,提高检测准确度。

主权项:1.一种磁传感器,包括桥式电路,其特征在于,所述桥式电路包括:第一磁阻元件、第二磁阻元件;所述第一磁阻元件的第一端与所述第二磁阻元件的第二端连接,并与外部输出连接;所述第一磁阻元件的第二端与外部电源连接;所述第二磁阻元件的第一端接地;所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件均包括多个MR单元,所述第一磁阻元件和所述第二磁阻元件的静态属性部分相同或全部相同;所述静态属性包括MR单元数量、MR单元排布与MR单元特性;所述第一磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式可调节;所述第二磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式可调节;所述连接方式包括:串联连接、并联连接或串并联混合连接;所述第一磁阻元件的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路;所述第二磁阻元件中的多个MR单元部分或全部接入所述桥式电路;其中,通过调节所述第一磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式、以及所述第二磁阻元件中的多个MR单元接入所述桥式电路的数量和连接方式,使所述桥式电路的输出零点偏离磁场零点。

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