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【发明授权】一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法_惠州市金百泽电路科技有限公司;西安金百泽电路科技有限公司_202111532272.2 

申请/专利权人:惠州市金百泽电路科技有限公司;西安金百泽电路科技有限公司

申请日:2021-12-15

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN114488704B

主分类号:G03F7/20

分类号:G03F7/20

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要:本发明公开了一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法,包括线路图形设计;拼接重叠区域设定;拼接图形设计;线路图形曝光显影;拼接图形曝光显影;重合线条判断;DMD偏移位置判断;DMD位置补偿;上述检测与修正方法,将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光,判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条,根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移,有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置,可节省测量时间,提高了检测效率,同时避免受测量仪器的误差影响,以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰。

主权项:1.一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法,其特征在于:包括S1、线路图形设计,设计预设数量和尺寸的线路图形,线路图形的长度大于等于设备的最大宽度;S2、拼接重叠区域设定,根据线路图形在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域;S3、拼接图形设计,分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计具有若干线条的基准图形和偏移图形,使基准图形与偏移图形的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上;S4、线路图形曝光显影,将线路图形利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光,并进行显影定影处理;S5、拼接图形曝光显影,将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光,并进行显影定影处理;S6、重合线条判断,判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条;S7、DMD偏移位置判断,根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移,是则根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置;S8、DMD位置补偿,光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置,使之无偏移;所述DMD偏移位置判断方法为:S41、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD;S42、确定基准DMD曝光的基准图形;S43、确定与基准DMD相邻的非基准DMD曝光的偏移图形;S44、将基准图形与偏移图形的线条进行比对后确定重合线条;S45、确定重合线条的重合方向及预设间距值;S46、根据重合线条的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移;S47、后DMD始终以前DMD为基准DMD,并根据DMD的性质曝光基准图形或偏移图形并进行重合线条比对;S48、直至完成所有DMD的偏移方向及偏移位移的判断;或所述DMD偏移位置判断方法为:S51、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD;S52、确定基准DMD曝光的基准图形;S53、确定除基准DMD之外的非基准DMD曝光的至少一个偏移图形;S54、将基准图形与偏移图形的线条进行逐一比对后确定重合线条;S55、确定重合线条图形的重合方向及预设间距值;S56、根据重合线条图形的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移;S57、完成所有非基准DMD偏移方向及偏移位移的判断。

全文数据:

权利要求:

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