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【发明授权】对从存储器单元读取软位和硬位的改进_美光科技公司_202110494719.5 

申请/专利权人:美光科技公司

申请日:2021-05-07

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN113628664B

主分类号:G11C29/12

分类号:G11C29/12;G11C29/14;G11C29/18;G11C29/42

优先权:["20200507 US 16/869,488"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要:本公开涉及对从存储器单元读取软位和硬位的改进。一种存储器子系统配置成使用从存储器单元读取软位数据和硬位数据的合并过程执行第一类型的读取命令。例如,存储器装置将:针对所述读取命令,测量存储器单元的信号和噪声特性;基于所述特性,计算经优化电压和相对于所述经优化电压具有相同量的偏移的两个邻近电压;使用所述经优化电压读取所述存储器单元以获得硬位数据,并使用所述两个邻近电压读取所述存储器单元以获得软位数据;以及向所述处理装置传输包含所述硬位数据的响应。所述软位数据可以基于根据所述特性确定的分类而选择性地传输。当执行第二类型的读取命令时,不读取软位数据;和或不测量所述信号和噪声特性。

主权项:1.一种存储器子系统,其包括:处理装置;以及至少一个存储器装置,所述存储器装置具有:存储器单元群组,其在集成电路裸片上形成;以及校准电路,其配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性;其中所述处理装置配置成向所述存储器装置传输第一类型的读取命令,所述读取命令包含标识所述存储器单元群组的地址;其中响应于所述第一类型的所述读取命令,所述存储器装置配置成:使用所述校准电路测量由所述地址标识的所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性;基于所述第一信号和噪声特性计算第一经优化读取电压和至少两个邻近读取电压,其中所述两个邻近读取电压相对于所述第一经优化读取电压具有相同预定量的偏移;使用所述第一经优化读取电压和所述至少两个邻近读取电压读取所述存储器单元群组;以及至少基于使用所述第一经优化读取电压读取所述存储器单元群组的结果,向所述处理装置传输对所述第一类型的所述读取命令的响应。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 对从存储器单元读取软位和硬位的改进

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