申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2022-05-10

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114783655B

主分类号：H01B5/02

分类号：H01B5/02;H01B1/02;H01B1/04;H01B5/14;H01B13/00;C01B32/194

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明公开了一种复合薄膜在轴对称壳体谐振子中的应用方法，所述轴对称壳体谐振子包括圆柱壳体谐振子和半球壳体谐振子；所述圆柱壳体谐振子的内表面和谐振环的下部唇沿部分均镀制有第一金属纳米线和石墨烯薄膜电极；所述半球壳体谐振子的内表面和半球壳体的下部唇沿部分均镀制有第二金属纳米线和石墨烯薄膜电极。本发明具有厚度更薄单层厚度小于10nm，电导率高的优点，并且具有在不影响薄膜导电能力的情况下，显著提高谐振子镀膜后Q值的优势，可获取更高的陀螺精度。

主权项：1.一种复合薄膜在轴对称壳体谐振子中的应用方法，其特征在于，所述轴对称壳体谐振子包括圆柱壳体谐振子和半球壳体谐振子；所述圆柱壳体谐振子的内表面和谐振环的下部唇沿部分均镀制有第一金属纳米线和石墨烯薄膜电极；所述半球壳体谐振子的内表面和半球壳体的下部唇沿部分均镀制有第二金属纳米线和石墨烯薄膜电极；所述第一金属纳米线和石墨烯薄膜电极以及第二金属纳米线和石墨烯薄膜电极为金属纳米线和石墨烯的混合结构或金属纳米线和石墨烯的叠层结构；所述金属纳米线为银纳米线、铂纳米线或金纳米线；所述第一金属纳米线和石墨烯薄膜电极和第二金属纳米线和石墨烯薄膜电极中金属纳米线薄膜的镀制方法为模板法、电化学法或湿化学法，石墨烯薄膜的镀制方法为化学气相沉积法、外延生长法、氧化还原法。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种复合薄膜在轴对称壳体谐振子中的应用方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD