申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司

申请日：2023-01-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116560116B

主分类号：G02F1/025

分类号：G02F1/025;G02F1/015;G02F1/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.08.25#实质审查的生效;2023.08.08#公开

摘要：本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。本发明通过采用两两加热电阻串联的方式，使每一组加热电阻的阻值和相等，组与组之间采用并联的方式互连，只需要控制一个输入电压即可实现移相器阵列相邻通道间的相位差的控制，且避免了特大电阻的出现。

主权项：1.一种热光移相器阵列，包括若干个由热光移相器构成的阵列通道，其特征在于，热光移相器包括由下至上的硅衬底、第一氧化层、硅器件层、第二氧化层、加热电阻、第三氧化层、金属层和钝化层；其中，所述硅器件层配置为具有预设图形的硅波导，所述第三氧化层配置有对应于加热电阻两端的接触孔，所述接触孔填充用于连接加热电阻与金属层的金属，所述金属层包括金属电极和连接对应加热电阻的互连金属线，所述钝化层配置有对应于金属电极的开口；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海铭锟半导体有限公司 热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列

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