申请/专利权人：卓芯杰(苏州)半导体材料科技有限公司

申请日：2023-05-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117843592A

主分类号：C07D307/00

分类号：C07D307/00;G03F7/027

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体及其制备方法与应用，所述ArF光刻胶树脂单体的制备方法包括以下步骤：1将纳迪克酸酐与1‑乙基环戊醇在缩合剂及溶剂的存在下反应，得到中间体1；2将中间体1与甲酸、双氧水在溶剂的存在下反应，得到中间体2；3将中间体2与甲基丙烯酰氯在缚酸剂、阻聚剂及溶剂的存在下，进行酯化反应，得到所述降冰片基类ArF光刻胶树脂单体。由上述方法制备得到的降冰片基类化合物可作为ArF光刻胶树脂单体用于制备ArF光刻胶，制备得到的ArF光刻胶具有优异的抗腐蚀性能，有利于提高半导体芯片制备的良率。

主权项：1.一种降冰片基类ArF光刻胶树脂单体，其特征在于，具有如下结构：

全文数据：

权利要求：

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