申请/专利权人:广州新锐光掩模科技有限公司
申请日:2024-01-02
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117850155A
主分类号:G03F1/44
分类号:G03F1/44;G03F1/72
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开
摘要:本申请提供一种光掩模注记差的修正方法及系统,应用于光掩模的应用技术领域,其中,包括:对光掩模图档插入注记差量测图形;通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光,量测光掩模的注记差;通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数;通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光,修正光掩模的注记差。本申请是在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形再曝光得到误差,再将此误差通过GMC修正补偿到曝光机台后曝光,得到更小的注记差或是与其前层光掩模叠对差更小,进而可以协助芯片曝光时层与层的曝光图档,提升芯片的性能和良率。
主权项:1.一种光掩模注记差的修正方法,其特征在于,包括如下步骤:量测图形插入步骤:对光掩模图档插入注记差量测图形;注记差量测步骤:通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光,量测光掩模的注记差;修正参数补偿步骤:通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数;修正曝光步骤:通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光,修正光掩模的注记差。
全文数据:
权利要求:
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