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【发明公布】一种超低羟基含量的氟锆基玻璃的制备装置及方法_中国科学院上海光学精密机械研究所_202311742784.0 

申请/专利权人:中国科学院上海光学精密机械研究所

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117843219A

主分类号:C03B5/06

分类号:C03B5/06;C03B5/16;C03B5/235

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明公开了一种能够实现超低羟基含量的氟锆基玻璃制备方法及其装置。在该装置中,通过对上炉膛增压,使得熔融玻璃液从铂金坩埚的小孔中渗出形成“雾状熔体”并在重力作用下飘落。下炉膛自下而上的通入活化气体,通过对气体流量的控制,实现“雾状熔体”的短暂浮空,随着熔体之间的相互碰撞形成更大更重的液滴,最终滴落至收集坩埚得到目标玻璃液。该制备方法利用“雾状熔体”大比表面积特性,增加熔体与活化气体的接触面积,同时利用浮空来增加有效氟化时间,最终完成氟锆基玻璃的高效除水,实现超低羟基玻璃的制备。

主权项:1.一种超低羟基含量氟锆基玻璃的制备装置,其特征在于,包括加热炉1和熔融坩埚2以及收集坩埚3;所述加热炉1分为上炉腔101和下炉腔102;所述熔融坩埚2位于上炉腔101,所述收集坩埚3位于下炉腔102;熔融坩埚2底部设有孔洞,玻璃溶体可从孔洞流入收集坩埚3;上炉腔101和下炉腔102四周均分布有加热棒4,上炉腔101、下炉腔102分别装有热传感器51、热传感器52;上炉腔101设有金属封盖6用于密封加热炉1上口;所述金属封盖6设有进气阀7、循环冷却水管9和压力表801;在上炉膛101底部设有刚性支撑结构10用于放置熔融坩埚2;下炉膛102外壁贯通设有进气阀11和排气阀12,所述的排气阀12设有压力表802;所述下炉膛102底部放置了载物台13用于定位及放置收集坩埚3;所述进气阀11接入活化气体,所述活化气体在玻璃熔体从熔融坩埚2底部孔洞流出后接触玻璃溶体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种超低羟基含量的氟锆基玻璃的制备装置及方法

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