申请/专利权人：安世有限公司

申请日：2023-10-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855211A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L29/78;H01L23/488;H01L21/82

优先权：["20221007 EP 22200290.9"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：一种静电放电ESD保护半导体装置，其用于在另一半导体装置的第一端子和第二端子之间提供ESD保护，所述ESD保护装置包括具有第一主表面的半导体主体，其中所述半导体装置还包括被布置为连接到另一半导体装置的第一端子的第一ESD端子、被布置为连接到另一半导体装置的第二端子的第二ESD端子、以及浮置端子。

主权项：1.一种静电放电保护半导体装置，其用于在另一半导体装置的第一端子和第二端子之间提供静电放电保护，所述静电放电保护半导体装置包括具有第一主表面的半导体主体，其中所述静电放电保护半导体装置还包括布置为连接到另一半导体装置的第一端子的第一静电放电端子、布置为连接到所述另一半导体装置的第二端子的第二静电放电端子、以及浮置端子，并且其中所述半导体主体还包括：-第一导电类型的第一静电放电区，所述第一静电放电区从所述第一主表面延伸到所述半导体主体中，其中，所述第一静电放电区包括：-第二导电类型的第一二极管区，其中所述第一二极管区连接到所述第一静电放电端子；-第二导电类型的第二二极管区，其与所述第一二极管区间隔开，其中所述第二二极管区连接到所述浮置端子；-第一导电类型的第二静电放电区，所述第二静电放电区从所述第一主表面延伸到所述半导体主体中，其中，所述第二静电放电区包括：-第二导电类型的第三二极管区，其中所述第三二极管区连接到所述浮置端子；-第二导电类型的第四二极管区，其与所述第三二极管区间隔开，其中所述第四二极管区连接到所述第二静电放电端子，其中，在所述静电放电保护半导体装置的垂直于所述第一主表面的视图中看，所述第一静电放电区和所述第二静电放电区都是纵长的，并且其中-所述浮置端子包括多个单独的浮置条，所述多个单独的浮置条被设置为彼此电隔离，并且每个浮置条用于提供所述第二二极管区和所述第三二极管区之间的单独的连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安世有限公司 ESD保护半导体装置及其制造方法

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