龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日：2018-12-25
公开（公告）日：2024-04-09
公开（公告）号：CN111370318B
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.09#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2020.07.03#公开
摘要：本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，所述方法包括以下步骤：1将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；2对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；3对步骤2中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；4去除半导体元件表面覆盖的保护膜。本发明的方法在陶瓷板的背面进行热处理，正面的半导体的内应力得到了降低或者消除的效果，本发明的方法可以和制备半导体的工艺联用，在短时间内大批处理半导体元件，提高了生产效率。
主权项：1.一种半导体消除内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；2对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；3对步骤2中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；4去除半导体元件表面覆盖的保护膜，其中，所述步骤2中，第一次热处理和第二次热处理均采用卤素灯照射陶瓷板的外表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 一种半导体消除内应力的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号