申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2020-07-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111814334B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;G06F30/25;G06F119/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开

摘要：本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。

主权项：1.用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，其特征在于，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；根据所述每层材料的种类及厚度参数，定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；根据所述入射粒子的类型和能量参数，定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；根据定义的所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向，以及定义的所述半导体器件模型的底色和框架结构，在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置

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