申请/专利权人：成都宏科电子科技有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117831945A

主分类号：H01G4/012

分类号：H01G4/012;H01G4/33;H01G13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及薄膜器件制备技术领域，具体涉及一种金属厚膜电极图形制备方法；根据产品图形特点，制作对应图形的金属掩膜版，图形区域为通孔；在金属掩膜版上喷涂光刻胶，使光刻胶布满金属掩膜版的表面和图形通孔，固化光刻胶；通过金属掩膜版通孔的部分在瓷体表面实现金属化，使金属的厚度达到金属厚膜的要求；使用粘性的蓝膜贴附于金属掩膜版的表面，并扯下金属掩膜版；对已金属化的瓷体表面残留的光刻胶进行去除，完成金属厚膜电极图形的制备，得到薄膜器件；通过上述方式，实现避免在刻蚀金属的同时对瓷体产生刻蚀，破坏瓷体表面晶体结构，对产品性能产生影响。

主权项：1.一种金属厚膜电极图形制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、根据产品图形特点，制作对应图形的金属掩膜版，图形区域为镂空；S2、在金属掩膜版上设置正性光刻胶，使所述正性光刻胶布满金属掩膜版的表面和所述镂空图形区内壁，固化光刻胶；S3、将固化后的金属掩膜版贴附于待处理瓷体表面；S4、使得所述金属掩膜版镂空图形区的部分在瓷体表面实现金属化；S5、重复步骤S4使金属化的厚度达到金属厚膜的要求；S6、扯下金属掩膜版；S7、对已金属化的瓷体表面残留的所述正性光刻胶进行去除，完成金属厚膜电极图形的制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都宏科电子科技有限公司 一种金属厚膜电极图形制备方法

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