申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882079A

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：["20210906 JP 2021-145013"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明导出具有三端子以上的端子的多端子电容器的等效电路模型。一种创建正极和负极的外部电极端子呈交错状排列的多端子电容器的等效电路模型的方法，包含：测定多端子电容器的S参数的步骤；基于测定的S参数的测定值，导出多端子电容器整体的阻抗的步骤；根据导出的整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型的步骤；根据创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型的步骤；将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构的步骤；以及在创建的三维格子的拓扑结构的节点设定多端子电容器的端子的步骤。

主权项：1.一种等效电路模型创建方法，创建多端子电容器的等效电路模型，所述多端子电容器具有正极的外部电极端子和负极的外部电极端子呈交错状排列为相邻的端子彼此的极性不同的结构，其中，所述等效电路模型创建方法包含：第1步骤，测定所述多端子电容器的S参数；第2步骤，基于在所述第1步骤中测定的S参数的测定值，导出所述多端子电容器整体的阻抗；第3步骤，根据在所述第2步骤中导出的所述多端子电容器整体的阻抗，创建二端子的等效电路模型；第4步骤，根据在所述第3步骤中创建的二端子的等效电路模型，导出单位单元的等效电路模型；第5步骤，将由电容性以及电感性的电路要素形成的寄生成分的等效电路模型与在所述第4步骤中导出的单位单元的等效电路模型组合，创建三维格子状的拓扑结构；以及第6步骤，在三维格子的拓扑结构的节点设定所述多端子电容器的端子，所述三维格子的拓扑结构是在所述第5步骤中创建的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 多端子电容器的等效电路模型创建方法、等效电路模型创建程序、存储有等效电路模型创建程序的存储介质、仿真方法以及仿真装置

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