申请/专利权人：无锡芯谱半导体科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117867450A

主分类号：C23C14/30

分类号：C23C14/30;C23C14/50;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于电子束蒸发镀膜的垂直蒸发镀膜伞，包括用于安装镀膜伞的腔体和支撑板，所述腔体的顶部固定安装有法兰，所述法兰与所述腔体连通，所述法兰的上端固定安装有驱动件，所述腔体的内底部固定安装有坩埚，所述坩埚与所述支撑板之间的距离设置为800mm；所述支撑板上开设有若干通孔，所述通孔用于蒸发源穿过支撑板附着在基片上。本发明可以有效避免光刻胶因高温变形变质造成线槽形貌改变，造成金属膜生长时形成帽沿的情况发生，可以使金属能够更好的附着在基片上，可以提高金属的利用率，节省材料，降低成本。

主权项：1.一种基于电子束蒸发镀膜的垂直蒸发镀膜伞，包括用于安装镀膜伞的腔体1和支撑板2，其特征在于，所述腔体1的顶部固定安装有法兰3，所述法兰3与所述腔体1连通，所述法兰3的上端固定安装有驱动件4，所述腔体1的内底部固定安装有坩埚5，所述坩埚5与所述支撑板2之间的距离设置为800mm；所述支撑板2上开设有若干通孔6，所述通孔6用于蒸发源穿过支撑板2附着在基片上；所述驱动件4包括磁流体密封装置7、减速箱8和电机9，所述电机9的输出端与所述减速箱8键连接，所述减速箱8固定安装在所述法兰3上，所述减速箱8的输出轴与所述磁流体密封装置7固定连接，所述磁流体密封装置7固定安装在所述法兰3内，所述磁流体密封装置7的输出端固定连接有连接轴10；所述连接轴10远离磁流体密封装置7的一端固定连接有连接件11，所述支撑板2的顶部设置有与所述连接件11固定连接的安装座12；所述腔体1的内壁上通过连接件11安装有调整件13，所述调整件13用于调整蒸发束流的空间分布，提高沉积薄膜的均匀性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡芯谱半导体科技有限公司 一种基于电子束蒸发镀膜的垂直蒸发镀膜伞

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