申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878203A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/20;H01L33/04;H01L33/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种Ⅲ‑V族半导体外延结构、其制备方法与应用。所述外延结构包括层叠设置的第一缓冲层和第一连结层；第一连结层具有第一凸起结构，之间形成有间断结构；还包括间断结构中的第二缓冲层和第二连结层，第二连结层至少由多个独立的第二凸起结构组成；第一凸起结构和第二凸起结构能够作为外延生长的基础。以本发明所提供的Ⅲ‑V族半导体外延结构为基础生长形成的Ⅲ‑V族半导体发光层会形成多种大小、多种曲度弯曲的发光表面，极大地提高了发光面积，并使得发光层形成量子点发光，以及利用量子点限制效应降低量子斯塔克效应，改善发光层组分并入，综合各种作用显著提升了辐射复合效率，最终提升了器件整体的发光强度和效率。

主权项：1.一种III-V族半导体外延结构，其特征在于，包括层叠设置的第一缓冲层和第一连结层；所述第一缓冲层为连续膜层，所述第一连结层具有第一凸起结构，多个所述第一凸起结构之间或所述第一凸起结构的不同部位之间形成有间断结构，所述间断结构沿厚度方向贯穿所述第一连结层；还包括设置于所述间断结构中的第二缓冲层和第二连结层，所述第二连结层至少由多个独立的第二凸起结构组成；所述第二缓冲层具有相背的第一面和第二面，所述第一面面向所述第一缓冲层，所述第二凸起结构形成于所述第二面；并且，所述第一凸起结构和第二凸起结构之间暴露出的第二缓冲层能够作为III-V族半导体材料外延生长的基础。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 III-V族半导体外延结构、其制备方法与应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD