申请/专利权人：浙江珏芯微电子有限公司

申请日：2022-01-13

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114353953B

主分类号：G01J5/02

分类号：G01J5/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本发明提供了一种用于快速制冷的杜瓦冷头及红外探测器杜瓦组件，所述用于快速制冷的杜瓦冷头包括冷指气缸、冷台、陶瓷基板、温度传感器、探测器芯片组、冷屏和低温滤光片，所述陶瓷基板的底面安装在冷台上、顶面进行薄膜电路金属化处理，在陶瓷基板上开设有与温度传感器形状和大小相适应的安装通孔一以及与探测器芯片组形状和大小相适应的安装通孔二，所述安装通孔二与安装通孔一连通，在陶瓷基板的非键合侧切割出适应冷屏安装的缺口。该杜瓦冷头可实现快速制冷，并能够降低探测器芯片组的热应力，采用该杜瓦冷头的红外探测器杜瓦组件的制冷和工作响应时间短，热损耗小，且使用寿命长。

主权项：1.一种用于快速制冷的杜瓦冷头，它包括冷指气缸、冷台、陶瓷基板、温度传感器、探测器芯片组、冷屏和低温滤光片，其特征是：所述陶瓷基板的底面安装在冷台上、顶面进行薄膜电路金属化处理，在陶瓷基板上开设有与温度传感器形状和大小相适应的安装通孔一以及与探测器芯片组形状和大小相适应的安装通孔二，所述安装通孔二与安装通孔一连通，在陶瓷基板的非键合侧切割出适应冷屏安装的缺口；所述探测器芯片组由硅电路与探测器芯片组成，硅电路在探测器芯片下方并与探测器芯片通过倒焊连接，硅电路与冷台通过粘接胶粘接固定，低温下硅电路的热膨胀系数为1.15×10-6k，所述冷台为碳化硅或氮化铝制成，或者所述冷台为4J36因瓦合金、4J29可伐合金、4J32超因瓦合金或Mo金属钼制成；所述的用于快速制冷的杜瓦冷头的封装方法如下：S1：将陶瓷基板的底面与冷台的上端通过粘接胶粘接固定；S2：将温度传感器和探测器芯片组分别置于安装通孔一和安装通孔二内，并使温度传感器和探测器芯片组与冷台的上端面通过粘接胶粘接固定；S3：待粘接胶固化后，将探测器芯片组和温度传感器分别与陶瓷基板上的薄膜电路金属化处理的区域进行键合：探测器芯片组先通过与陶瓷基板进行引线键合，再通过陶瓷基板与杜瓦键合，将探测器芯片组的电信号引出；S4：将冷屏下端的粘接端置于陶瓷基板上的缺口处并与冷台的冷屏粘接区域通过粘接胶粘接固定；S5：将低温滤光片粘接在冷屏的上开口处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江珏芯微电子有限公司 一种用于快速制冷的杜瓦冷头及红外探测器杜瓦组件

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