申请/专利权人：芝浦机械电子装置株式会社

申请日：2021-09-10

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114182227B

主分类号：C23C14/56

分类号：C23C14/56;C23C14/34;C23C14/54

优先权：["20200915 JP 2020-154720"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.04.01#实质审查的生效;2022.03.15#公开

摘要：本发明提供一种减少凸起的产生同时获得膜厚分布的均匀性的成膜装置。本实施方式的成膜装置包括：腔室；旋转台，沿着圆周的搬运路径循环搬运工件；多个靶材，包含成膜材料而形成，且设置于距旋转台的旋转中心的半径方向的距离不同的位置上；屏蔽构件，形成包围成膜材料飞散的区域的成膜室，且在与循环搬运的工件相向的一侧具有开口；以及等离子体发生器，具有向成膜室导入溅射气体的溅射气体导入部及向靶材施加电力的电源部，且使成膜室内的溅射气体产生等离子体，关于工件经由开口而暴露于成膜材料的时间，相较于与距旋转中心最远的靶材相向的区域，与距旋转中心最近的靶材相向的区域短。

主权项：1.一种成膜装置，其特征在于，包括：腔室，能够使内部为真空；旋转台，设置于所述腔室内，且沿着圆周的搬运路径循环搬运工件；多个靶材，包含堆积于所述工件成为膜的成膜材料而形成，与通过所述旋转台循环搬运的所述工件相向，且设置于距所述旋转台的旋转中心的半径方向的距离不同的位置上；屏蔽构件，形成包围来自所述多个靶材的所述成膜材料飞散的区域的成膜室，且在与通过所述旋转台循环搬运的所述工件相向的一侧具有开口；以及等离子体发生器，具有向所述成膜室导入溅射气体的溅射气体导入部及向所述靶材施加电力的电源部，通过向所述靶材施加电力而使所述成膜室内的溅射气体产生等离子体，且具有通过缩窄所述开口来遮蔽从所述靶材飞散的所述成膜材料的遮蔽板，关于所述遮蔽板覆盖与距所述旋转中心最近的靶材相向的区域中所述开口的面积的比例，相较于覆盖与距所述旋转中心最远的靶材相向的区域中所述开口的面积的比例大，所谓与距所述旋转中心最远的靶材相向的区域，是利用以所述旋转中心为中心的同心圆划分由所述开口划定的区域而成的环状扇形的区域，且是包括距所述旋转中心最远的靶材的正下方、不包括其他靶材的正下方的区域，所谓与距所述旋转中心最近的靶材相向的区域，是所述环状扇形的区域，且是包括距所述旋转中心最近的靶材的正下方、不包括其他靶材的正下方的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置

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