申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN116789450B

主分类号：C04B35/495

分类号：C04B35/495;C04B35/50;H01G4/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要：本发明涉及一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。所述非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷的组成为:Pb0.2Sr0.2Ba0.2La0.2Na0.2Nb2O6。本发明首次报道具有非充满型钨青铜结构的高熵铁电陶瓷组分，同时获得了6.16Jcm3的储能密度和82.12%的储能效率，有望应用于脉冲功率电容器器件中。

主权项：1.一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料，其特征在于，所述非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料的组成为:Pb0.2Sr0.2Ba0.2La0.2Na0.2Nb2O6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种非充满型钨青铜结构高熵铁电陶瓷材料及其制备方法和应用

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