申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-01-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112865727B

主分类号：H03F3/20

分类号：H03F3/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要：本发明公开了一种动态偏置的功率放大器，包括：输入及匹配模块，用于对输入的射频信号进行阻抗匹配并隔直；层叠功率放大模块，用于在动态偏置电压的控制下对匹配后的射频信号进行功率放大；输出及匹配模块，用于对所述层叠功率放大模块的输出射频信号进行阻抗匹配并隔直；动态偏置模块，用于根据输入射频信号的大小产生动态偏置电压至所述层叠功率放大模块的功率放大管。

主权项：1.一种动态偏置的功率放大器，包括：输入及匹配模块，用于对输入的射频信号进行阻抗匹配并隔直；层叠功率放大模块，用于在动态偏置电压的控制下对匹配后的射频信号进行功率放大；输出及匹配模块，用于对所述层叠功率放大模块的输出射频信号进行阻抗匹配并隔直；动态偏置模块，用于根据输入射频信号的大小产生动态偏置电压至所述层叠功率放大模块的功率放大管；其中，所述动态偏置模块进一步包括：输入探测放大器，用于采集输入功率并进行适当同向增益放大，转换为射频信号电流注入偏置调节模块；以及，偏置调节模块，用于在所述输入探测放大器输出的采样射频信号影响下动态调节所述层叠功率放大模块的共源NMOS功率放大管及共栅NMOS功率放大管的偏置电压，而所述偏置调节模块包括：固定偏置模块，用于在参考电流约束下，依次调整栅漏电压给所述层叠功率放大模块的各共栅NMOS功率放大管的偏置电压实现栅极偏置调整；可变偏置模块，用于根据注入电流调整其NMOS偏置管的栅极及漏极电压，实现所述层叠功率放大模块的共源NMOS功率放大管的栅极偏置调整；钳位器，用于保护输入功率最大时栅极偏置调整过大使得所述层叠功率放大模块各功率放大管进入线性区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种动态偏置的功率放大器

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