申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-08-09

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113809077B

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L21/8238

优先权：["20200831 US 63/072,545","20210401 US 17/220,345"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：有源区；第一、第二和第三金属到漏极源极MD接触结构，在第一方向上延伸并对应地与有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并与第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与通孔到通孔轨重叠，处于第一金属化层中，并相对于第二方向与第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一通孔到MDVD结构，在第一MD接触结构与第一导电部之间，第一VD结构将第一导电部、通孔到通孔轨与第一MD接触结构电耦合，其中，第二或第三MD接触结构中的至少一个与通孔到通孔轨电去耦。

主权项：1.一种半导体器件，包括：有源区；第一、第二和第三MD接触结构，MD即金属到漏极源极，所述第一、第二和第三MD接触结构在第一方向上延伸并对应地与所述有源区重叠；通孔到通孔轨，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述通孔到通孔轨与所述第一、第二和第三MD接触结构重叠；第一导电部，与所述通孔到通孔轨重叠，所述第一导电部处于第一金属化层中，并相对于所述第二方向与所述第一、第二和第三MD接触结构中的每个重叠；以及第一VD结构，VD即通孔到MD，所述第一VD结构在所述第一MD接触结构与所述第一导电部之间，并且将所述第一导电部、所述通孔到通孔轨与所述第一MD接触结构电耦合，并且其中，相对于垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每个的第三方向，所述通孔到通孔轨的上表面不突出且不超过所述第一VD结构的上表面；其中，所述第二或第三MD接触结构中的至少一个与所述通孔到通孔轨电去耦。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法

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