申请/专利权人:上海应用技术大学
申请日:2022-10-31
公开(公告)日:2024-04-23
公开(公告)号:CN115678439B
主分类号:C09G1/18
分类号:C09G1/18;C23F3/04
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.23#授权;2023.02.21#实质审查的生效;2023.02.03#公开
摘要:本发明涉及一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法,该碱性抛光液包括以下质量分数的原料组分:包括以下质量分数的原料组分:氨基多羧酸型螯合剂0.3‑2%、BTA抑制剂0.03‑0.15%、过氧化氢氧化剂0.05‑0.2%,其余为去离子水。该碱性抛光液采用以下制备方法制备得到:取所述过氧化氢氧化剂、氨基多羧酸型螯合剂、BTA抑制剂依次加入去离子水中混合,得到混合液,然后调节混合液的pH为10,即得目的产物。与现有技术相比,本发明抛光液可以调整Cu、Co金属表面电极电位,降低二者之间的电位差,降低CuCo电偶腐蚀。
主权项:1.一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液,其特征在于,包括以下质量分数的原料组分:氨基多羧酸型螯合剂0.3-2%、BTA抑制剂0.03-0.15%、过氧化氢氧化剂0.05-0.2%,其余为去离子水;所述氨基多羧酸型螯合剂为亚氨基二琥珀酸四钠。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海应用技术大学 一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法
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