申请/专利权人：成都世源频控技术股份有限公司

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117411478B

主分类号：H03L7/18

分类号：H03L7/18;H03L7/089

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明公开了一种具有防错锁功能的低相噪混频锁相电路，包括用于提供同时基信号的同时基参考单元，根据同时基参考单元提供的同时基信号产生低相噪射频信号的低相噪混频锁相单元，以及接收同时基参考单元提供的同时基信号并与低相噪混频锁相单元连接的防错锁单元，该防错锁单元基于同时基信号检测低相噪混频锁相单元的输出信号是否错锁，并在错锁时对低相噪混频锁相单元进行修正。本发明通过电路设计能够在较小体积和较低成本的条件下实现低相噪射频信号的产生，而且可以解决低相噪混频锁相单元可能发生的频率错误锁定的问题，并且能够适应多种微波信号处理电路，为各种变频电路提供高质量的本振信号和自检信号，具有广泛的市场应用前景。

主权项：1.一种具有防错锁功能的低相噪混频锁相电路，其特征在于，包括用于提供同时基信号的同时基参考单元，根据同时基参考单元提供的同时基信号产生低相噪射频信号的低相噪混频锁相单元，以及接收同时基参考单元提供的同时基信号并与低相噪混频锁相单元连接的防错锁单元，该防错锁单元基于同时基信号检测低相噪混频锁相单元的输出信号是否错锁，并在错锁时对低相噪混频锁相单元进行修正；所述同时基参考单元包括用于提供设定频率参考时钟信号的晶体振荡器，以及与晶体振荡器输出端连接实现三路同时基信号输出的一分三功分器，其中两路同时基信号提供至低相噪混频锁相单元，一路同时基信号提供至防错锁单元；所述低相噪混频锁相单元包括DDS时钟产生单元、DDS单元、低相噪锁相环电路、压控振荡电路、锁相混频电路和混频本振产生电路，其中DDS时钟产生单元接收一路同时基信号作为参考并产生DDS单元所需的高频参考时钟信号，DDS单元根据该高频参考时钟信号产生一可调低频参考时钟信号作为低相噪锁相环电路的参考输入，低相噪锁相环电路通过压控振荡电路产生的回环信号反馈至锁相混频电路，混频本振产生电路接收另一路同时基信号并产生一低相噪本振信号输入至锁相混频电路，锁相混频电路将该回环信号和低相噪本振信号混频后得到的信号返回低相噪锁相环电路，最终由锁相环输出端输出低相噪射频信号；所述防错锁单元包括防错锁本振产生电路、防错锁混频电路和主控制器，其中防错锁本振产生电路接收一路同时基信号作为参考并根据设定产生一与最终输出的低相噪射频信号频率相同的防错锁本振信号，防错锁混频电路检测低相噪混频锁相单元输出的射频信号并与该防错锁本振信号混频后将混频结果输出至主控制器，由主控制器根据该混频结果判断是否错锁，若错锁，则由主控制器向低相噪混频锁相单元发送指令，重新配置低相噪锁相环电路进行修正。

全文数据：

权利要求：

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