申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112614856B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/27;H01L21/768;H01L23/538;G03F1/76

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.06#公开

摘要：本申请提供了一种半导体器件及用于制造半导体器件的方法、掩模板系统。该半导体器件包括：衬底；堆叠结构，设置在所述衬底上；导电通道层，设置在所述堆叠结构上，并包括多个导电通道；以及重布线层，设置于所述导电通道层上，并包括与所述导电通道一一对应的多个重布导电部；互连层，位于重布线层上，其中，所述重布导电部包括在沿所述堆叠结构的堆叠方向上相对设置的第一端面和第二端面，所述导电通道于所述第一端面与所述重布导电部电连接，所述重布导电部在与所述堆叠方向垂直的方向上延展，所述第二端面包括相对于所述导电通道偏移的原位连接区，所述互连层于所述原位连接区与所述重布导电部电连接。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；堆叠结构，设置在所述衬底上；多个沟道结构，沿所述堆叠结构的堆叠方向贯穿所述堆叠结构；导电通道层，设置在所述堆叠结构上，并包括多个导电通道，在所述多个导电通道中形成有导电通道柱，所述导电通道柱包括与所述沟道结构一一对应并电连接的第一导电通道柱；以及重布线层，设置于所述导电通道层上，并包括与所述导电通道一一对应的多个重布导电部，多个所述重布导电部包括与所述第一导电通道柱一一对应的第一重布导电部；互连层，位于所述重布线层上，其中，所述重布导电部包括在沿所述堆叠结构的堆叠方向上相对设置的第一端面和第二端面，所述导电通道于所述第一端面与所述重布导电部电连接，所述重布导电部在与所述堆叠方向垂直的方向上延展，所述第二端面包括相对于所述导电通道偏移的原位连接区，所述互连层于所述原位连接区与所述重布导电部电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及用于制造半导体器件的方法、掩模板系统

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