申请/专利权人：上海恩捷新材料科技有限公司

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117895037A

主分类号：H01M8/1069

分类号：H01M8/1069;H01M8/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本申请提供一种质子交换膜制备加工方法，包括：一静电纺丝液配制步骤，在聚合物溶液中加入携带物，搅拌分散后以得到纺丝液；一质子交换膜的基膜设置步骤，将一基膜固定在一静电纺丝设备上；以及一纳米级薄膜制备步骤，透过所述静电纺丝设备对所述纺丝液进行静电纺丝，以在所述基膜上形成至少一纳米级薄膜，其中所述静电纺丝设备根据一双极板流道凹凸方向设置纺丝路径，以纺丝所述纳米级薄膜至所述基膜上，而所述纳米级薄膜包含至少一致密膜层及一稀疏膜层，藉由静电纺丝装置在基膜上模仿双极板流道凹凸方向纺丝成所述纳米级薄膜。

主权项：1.一种质子交换膜制备加工方法，其特征在于，所述方法包括：一静电纺丝液配制步骤，在聚合物溶液中加入携带物，搅拌分散后以得到纺丝液；一质子交换膜的基膜设置步骤，将一基膜固定在一静电纺丝设备上；以及一纳米级薄膜制备步骤，所述纺丝液透过所述静电纺丝设备进行静电纺丝，以在所述基膜上形成至少一纳米级薄膜，其中所述静电纺丝设备根据一双极板流道凹凸方向设置纺丝路径，以纺丝所述纳米级薄膜至所述基膜上，而所述纳米级薄膜包含至少一致密膜层及一稀疏膜层，其中所述致密膜层的孔隙率是小于所述稀疏膜层的孔隙率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海恩捷新材料科技有限公司 一种质子交换膜制备加工方法及其所制备的质子交换膜

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