申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894753A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L21/3215;H01L27/092;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本申请提供一种CMOS器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成位于衬底的上表面的所述第一介质层；形成位于所述第一介质层的上表面的多晶硅层；形成自所述多晶硅层上表面开口并向下延伸的沟槽以形成两侧均具有所述沟槽的多晶硅凸起；形成位于所述沟槽的内表面的第二介质层，位于所述沟槽的底部两侧的所述第一介质层与所述第二介质层共同构成介质层；采用第一离子注入工艺形成位于所述沟槽底部衬底内的第一源区及第一漏区并基于所述多晶硅凸起形成电阻层。该制作方法将电阻层的离子注入与CMOS器件中源漏注入同步进行，减少一次MASK工艺，有效降低制作成本，通过对离子注入步骤及参数进行调整实现对HRP阻值的精准调控。

主权项：1.一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成位于衬底的上表面的第一介质层；形成位于所述第一介质层的上表面的多晶硅层；形成自所述多晶硅层上表面开口并向下延伸的沟槽，所述沟槽至少贯穿所述多晶硅层并部分保留所述多晶硅层以形成多晶硅凸起，所述多晶硅凸起的两侧均具有所述沟槽；形成位于所述沟槽的内表面的第二介质层，位于所述沟槽的底部两侧的所述第一介质层与所述第二介质层共同构成介质层；采用第一离子注入工艺，形成位于所述沟槽底部的所述衬底内的第一源区及第一漏区，并基于所述多晶硅凸起形成电阻层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 一种CMOS器件及其制作方法

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