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【发明公布】一种半导体MOF基吸波超材料及其制备方法和应用_西北工业大学_202410020150.2 

申请/专利权人:西北工业大学

申请日:2024-01-07

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117895243A

主分类号:H01Q17/00

分类号:H01Q17/00;H05K9/00;C08L63/00;C08G83/00;C08L87/00;C09K3/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:一种半导体MOF基吸波超材料及其制备方法和应用,其中,半导体MOF基吸波超材料包括若干相同且呈周期性阵列排布的基本结构单元,基本结构单元由基底和一体设置在基底上的四棱台组成,相邻的基本结构单元之间通过基底相连;半导体MOF基吸波超材料由以环氧树脂为基体并掺杂半导体MOF组成,半导体MOF为尺寸均匀的二维长片结构的CuHT。本发明利用环氧树脂的柔性和可塑性,结合3D宏结构设计,合理开发了一种基于半导体MOF的新型3D宏结构EMW吸波材料,从而大大拓宽了EAB。该制备方法为未来宽带和轻型EMW吸波材料的设计、制造和应用提供了新的见解,并有效解决了现有吸波材料技术中存在的薄厚度,低密度,宽带和力学性能之间的兼容问题。

主权项:1.一种半导体MOF基吸波超材料,其特征在于,所述半导体MOF基吸波超材料包括若干相同且呈周期性阵列排布的基本结构单元,所述基本结构单元由基底和一体设置在所述基底上的四棱台组成,相邻的所述基本结构单元之间通过所述基底相连;所述半导体MOF基吸波超材料由以环氧树脂为基体并掺杂半导体MOF组成,所述半导体MOF为尺寸均匀的二维长片结构的CuHT。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西北工业大学 一种半导体MOF基吸波超材料及其制备方法和应用

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