申请/专利权人：中央民族大学

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117891091A

主分类号：G02F1/065

分类号：G02F1/065

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及光电技术领域，提供一种硅基纳米波导‑有机杂化电光调制器，包括输入端多模干涉耦合器、输入端模式转换器、调制区结构、输出端模式转换器和输出端多模干涉耦合器；调制区结构包括衬底、硅平板层、电极结构和多个狭缝波导，狭缝波导的狭缝内设有有机电光材料，硅平板层设置于衬底；输入端模式转换器通过输入端模式转换器狭缝波导连接，输出端多模干涉耦合器通过输出端模式转换器与狭缝波导连接；硅平板层轻度掺杂区和重度掺杂区，狭缝波导设置于轻度掺杂区，电极结构与重度掺杂区电连接。本发明解决了现有技术中电光调制器兼容性差，不利于小型化，集成化，以及难以实现高频调制的缺陷，具有大带宽，低功耗，易于集成等优点。

主权项：1.一种硅基纳米波导-有机杂化电光调制器，其特征在于，包括：输入端多模干涉耦合器、输入端模式转换器、调制区结构、输出端模式转换器和输出端多模干涉耦合器；所述输入端多模干涉耦合器包括输入端单模波导、输入端锥形渐变结构和输入端多模波导，所述输入端单模波导通过所述输入端锥形渐变结构与所述输入端多模波导连接，所述输出端多模干涉耦合器包括输出端单模波导、输出端锥形渐变结构和输出端多模波导，所述输出端单模波导通过所述输出端锥形渐变结构与所述输出端多模波导连接；所述调制区结构包括衬底、硅平板层、电极结构和多个狭缝波导，所述狭缝波导的狭缝内设有有机电光材料，所述硅平板层设置于所述衬底；所述输入端多模干涉耦合器的多个输出波导口通过所述输入端模式转换器分别与多个所述狭缝波导的第一端一一对应连接，所述输出端多模干涉耦合器的多个输入转换波导口通过所述输出端模式转换器分别与多个所述狭缝波导的第二端一一对应连接；所述硅平板层上交替设有多个轻度掺杂区和多个重度掺杂区，多个所述狭缝波导分别设置于多个不同的所述轻度掺杂区，所述电极结构包括第一地电极、第二地电极和信号电极，所述第一地电极、所述第二地电极和所述信号电极分别与不同的所述重度掺杂区电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中央民族大学 硅基纳米波导-有机杂化电光调制器

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