申请/专利权人：南京航空航天大学

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894359A

主分类号：G11C11/412

分类号：G11C11/412;G11C11/418;G11C11/419

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种高稳定性的低功耗SRAM电路，由第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、功率门控结构、辅助放电NMOS晶体管、读解耦电路、写字线、读字线、写位线、读位线、第一写辅助线和第二写辅助线组成，功率门控结构分别与第一写辅助线、第二写辅助线、第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、辅助放电NMOS晶体管、读解耦电路连接，辅助放电NMOS晶体管还分别与第二写辅助线、读解耦电路连接，读解耦电路还与读位线连接；第一NMOS晶体管还分别与写字线、写位线连接。本发明弥补SRAM电路在低功耗应用场景下性能与稳定性较差的情况。

主权项：1.一种高稳定性的低功耗SRAM电路，其特征在于，由第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M4、第三NMOS晶体管M7、第一PMOS晶体管M2、第二PMOS晶体管M5、功率门控结构、辅助放电NMOS晶体管M8、读解耦电路、写字线WWL、读字线RWL、写位线WBL、读位线RBL、第一写辅助线WALA和第二写辅助线WALB组成，所述功率门控结构分别与第一写辅助线WALA、第二写辅助线WALB、第一NMOS晶体管M1、第一PMOS晶体管M2、第二PMOS晶体管M5、第二NMOS晶体管M4、第三NMOS晶体管M7、辅助放电NMOS晶体管M8、读解耦电路连接，所述辅助放电NMOS晶体管M8还分别与第二写辅助线WALB、读解耦电路连接，所述读解耦电路还与读位线RBL连接；所述第一NMOS晶体管M1还分别与写字线WWL、写位线WBL连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学 一种高稳定性的低功耗SRAM电路

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