申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司

申请日：2022-12-29

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115951450B

主分类号：G02B6/13

分类号：G02B6/13;G02B6/136;G02B6/132;H01L21/3105

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.04.28#实质审查的生效;2023.04.11#公开

摘要：本发明提供一种大马士革氮化硅波导化学机械抛光方法，主要涉及集成光电技术领域，在沉积氮化硅步骤后进行反向刻蚀，去除大部分非波导区域氮化硅；然后生长一层保护衬底氧化硅的保护层；再进行正向光刻、正向刻蚀保护层、化学机械抛光、去除保护层、退火和沉积包层。反向刻蚀去除大部分非波导位置的氮化硅膜层，减小化学机械抛光工艺所需的时间。保护层可以保护衬底SiO2，减小SiN膜层的损耗，给CMP工艺一个相对较宽的时间范围，因此可以降低工艺难度，提升稳定性，良率也是提升的。

主权项：1.一种大马士革氮化硅波导化学机械抛光方法，其特征在于：先在氧化硅衬底上刻蚀波导和释放应力的凹槽，刻蚀深度H1要大于目标波导厚度H2；在沉积氮化硅步骤后进行反向刻蚀，去除大部分非波导区域氮化硅，所述反向刻蚀采用光刻胶作为掩膜，干法刻蚀，需要进行过刻蚀，反向刻蚀步骤中过刻蚀量H4为H1-H2的厚度；然后生长一层保护衬底氧化硅的保护层；再进行正向光刻、正向刻蚀保护层、化学机械抛光、去除保护层、退火和沉积包层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海铭锟半导体有限公司 一种大马士革氮化硅波导化学机械抛光方法

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