申请/专利权人：苏州华勤源微电子科技有限公司

申请日：2021-07-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114976562B

主分类号：H01P11/00

分类号：H01P11/00;H01P1/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明涉及IPCB81C100领域，尤其涉及一种基于MEMS工艺的硅基微带环形器及其应用。所述硅基微带环形器的制备步骤包括：1硅片刻蚀；2正反磁控溅射镀膜；3刻蚀形成图案；4二次正反磁控溅射镀膜；5定型，嵌入磁性材料，即得硅基微带环形器成品；所述硅片的厚度为0.1‑1mm。本发明通过MEMS工艺制备得到硅基微带环形器，所得产物具有尺寸精密度高、回波损耗小、耐极端温度的优点，能够满足微波射频器件的工作需求。通过特定刻蚀以及镀膜工艺处理，能够在简便的工艺流程下得到高性能微波射频器件，对于大批量高精密度硅基微带环形器的实际生产具有重要意义。

主权项：1.一种基于MEMS工艺的硅基微带环形器，其特征在于，所述硅基微带环形器的制备步骤包括：1硅片刻蚀；2正反磁控溅射镀膜；3刻蚀形成图案；4二次正反磁控溅射镀膜；5定型，嵌入磁性材料，即得硅基微带环形器成品；所述硅片的厚度为0.1-1mm；所述步骤2具体为，对硅基片一进行正反磁控溅射镀膜，定义硅基片的一面为正面，另一面为反面，正面采用Ti进行镀膜，反面采用Au进行镀膜，得到硅基片二；所述步骤3具体为，对硅基片二依次进行一次光刻，化学刻蚀，二次光刻，在硅基片二的反面形成图形，得到硅基片三；所述步骤4具体为，对硅基片三进行二次正反磁控溅射镀膜，正面采用Ti进行镀膜，反面采用Au进行镀膜，得到硅基片四。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华勤源微电子科技有限公司 一种基于MEMS工艺的硅基微带环形器及其应用

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