申请/专利权人：太原理工大学

申请日：2022-05-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114892123B

主分类号：C23C8/38

分类号：C23C8/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法，属于热处理工艺技术领域，可解决小孔周围容易出现打弧现象而导致的工件产生弧光烧蚀而失效的问题，该工艺包括：先将有孔零部件预处理，将工件置于氮化炉，通入氮气和氢气，通过炉内气压、工件电压和温度协同调节来消除打弧风险，达到小孔离子氮化效果。氮化温度0.9~1.0Tw，炉内压力300~6000Pa，电压0~‑1200V，离子氮化2.0~10.0小时。与传统的离子氮化工艺相比，本发明在离子氮化工艺部分，创新性使用一种温度控制模式，升温过程采用低气压高电压模式，降温过程采用高气压低电压模式，通过调节气压和电压来控制温度，避免打弧，从而提高有孔工件的离子氮化效果。

主权项：1.一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步，材料预处理，采用常规离子氮化工艺，对材料进行预处理；第二步，氮化工艺：在0.9~1.0Tw条件下，Tw：最大渗氮温度，控制氮气和氢气稳定通入，炉内压力控制在300~6000Pa，BP单极脉冲偏压电源的输出电压为0~-1200V，频率范围为40~60kHz，离子氮化2.0~10.0h；所述氮化工艺参数调节过程：低气压升温阶段→充气阶段→快速渗氮阶段→抽气阶段→低气压升温阶段，如此周而复始，直至渗氮结束；具体过程如下：（1）低气压时，电压升至最高点-1000~-1200V，功率到达较高范围，工件温度逐渐升高，称为低气压升温阶段；（2）温度达到最高点Tw后，迅速降压至-100~-200V，同时开始快速充气，是充气阶段；（3）气压至高点，充气完成，使电压调整至-350~-550V，进入快速渗氮阶段；（4）由于电源供给功率降低，工件温度缓慢降低，温度降至0.8~0.9Tw后，迅速降压至-100~-200V，开始快速抽气，进入抽气阶段；（5）炉内气压抽到低气压，进入低气压升温阶段；如此周而复始，直至渗氮结束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 太原理工大学 一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法

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