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【发明授权】一种控制氯化钛白半成品粒径的方法_龙佰禄丰钛业有限公司_202210079847.8 

申请/专利权人:龙佰禄丰钛业有限公司

申请日:2022-01-24

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN114538507B

主分类号:C01G23/07

分类号:C01G23/07

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要:本发明属于二氧化钛的工业制备技术领域,具体涉及一种控制氯化钛白半成品粒径的方法。本发明将液态四氯化硅转换为气态四氯化硅,将得到的气态四氯化硅收集到气体缓冲罐中,然后将气态四氯化硅打入增压系统中增压,使增压后的气态四氯化硅压力大于氧化反应区域压力,将增压后的气态四氯化硅输送到四氯化钛与氧气发生氧化反应的区域的上游,气态四氯化硅对发生氧化反应的区域进行冷却,得到氯化钛白半成品物料,将得到的氯化钛白半成品物料输送到冷却系统中进行冷却。本发明既可保证反应区的冷却速率和效率,调节粒径大小,又可做为表面处理剂参与反应,且不会影响氯化炉物料损失率、冷凝工段设备冷却效率、氯化炉热量和氧化反应进行方向。

主权项:1.一种控制氯化钛白半成品粒径的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1:将液态四氯化硅输送到计量系统中计量后再将液态四氯化硅转换为气态四氯化硅,使液体四氯化硅转换为气态四氯化硅的量为氧化炉中四氯化钛进料量的0.6-3.5%,得到的气态四氯化硅的温度60-65℃;步骤2:将气态四氯化硅增压,使增压后的气态四氯化硅压力大于氧化炉中氧化反应区域的压力;步骤3:将增压后的气态四氯化硅输送到氧化炉中对氧化炉中氧化反应区域进行冷却,得到氯化钛白半成品物料;具体为:所述增压系统与氧化炉之间设置有数根管道,所述管道均连接有设置在氧化炉上游的呈45-60°设置的喷嘴,所述气态四氯化硅从喷嘴喷入氧化炉中,加入气态四氯化硅的位置位于氧化炉四氯化钛与氧气发生氧化反应的区域的上游0-200mm处;步骤4:将得到的氯化钛白半成品物料输送到冷却系统中进行冷却;步骤5:对经过冷却后的氯化钛白半成品物料进行收集。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 龙佰禄丰钛业有限公司 一种控制氯化钛白半成品粒径的方法

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