申请/专利权人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学

申请日：2023-08-31

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220796782U

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/48;H01L25/075

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型公开了一种MicroLED显示芯片。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连，形成串联结构。该芯片从上至下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层和氧化物支撑层。本实用新型通过将两个MicroLED芯片组成串联结构，使其能够承受更高的工作电压。以氧化物支撑层支撑两个MicroLED芯片，能够避免两个芯片发生断裂，有利于后续与驱动基板的键合。

主权项：1.一种MicroLED显示芯片，其特征在于，包括第一芯片和第二芯片；第一芯片和第二芯片均包括自下而上堆叠的透明导电层401、P型氮化镓层203、多量子阱301和N型氮化镓层202；第一芯片和第二芯片均位于氧化物支撑层上；第一芯片和第二芯片中，N电极均沉积在N型氮化镓层202上，P电极沉积均在透明导电层401上；第一芯片和第二芯片上，除沉积N电极与P电极的位置外，均沉积有钝化层503；第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 一种Micro LED显示芯片

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