申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-10-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913024A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开一种间隙壁形成方法，包括下述步骤：首先提供一种蚀刻阻挡结构，此蚀刻阻挡结构包括覆盖于基材上的含氮化硅覆盖层。接着，进行蚀刻制作工艺，移除一部分含氮化硅覆盖层；之后，进行一个湿式处理，以一种含硫化物处理剂接触含氮化硅覆盖层的余留部分。

主权项：1.一种间隙壁spacer的形成方法，包括：提供蚀刻阻挡结构，包括含氮化硅覆盖层覆盖于基材；进行蚀刻制作工艺，移除一部分该蚀刻阻挡结构含氮化硅覆盖层；以及进行湿式处理，以含硫化物处理剂接触该含氮化硅覆盖层的余留部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 间隙壁形成方法

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