申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2022-10-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913130A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及一种辅助栅极横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区；集电区，位于漂移区中；第二导电类型掺杂区，设于漂移区中；绝缘介质层，位于沟槽的内表面，沟槽位于集电区和第二导电类型掺杂区之间；辅助栅极，位于沟槽中，且被绝缘介质层包围；阳极区，与漂移区直接接触；第一电极，将阳极区与第二导电类型掺杂区短路连接；主栅结构。本发明在LIGBT导通时，辅助栅极关断，消除了单极模式，仅从双极模式开始导通，无电压折回的风险；在LIGBT关断时，由辅助栅极开启导电沟道，为漂移区的非平衡载流子提供抽出通道，减小了电流拖尾的时间。且沟槽栅结构的辅助栅极在结构上能够实现更好的隔离。

主权项：1.一种辅助栅极横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，位于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第二导电类型掺杂区，设于所述漂移区中；绝缘介质层，位于沟槽的内表面，所述沟槽位于所述集电区和第二导电类型掺杂区之间；辅助栅极，位于所述沟槽中，且被所述绝缘介质层包围；阳极区，具有第一导电类型，与所述漂移区直接接触；第一电极，将所述阳极区与第二导电类型掺杂区短路连接；主栅结构；其中，在所述辅助栅极横向绝缘栅双极型晶体管导通时，所述辅助栅极上施加的电压使所述辅助栅极关断；在所述辅助栅极横向绝缘栅双极型晶体管关断时，所述辅助栅极上施加的电压使所述辅助栅极打开。

全文数据：

权利要求：

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