申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117914289A

主分类号：H03K5/22

分类号：H03K5/22;H03K5/19

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说是涉及一种大电流Buck的过零比较器自动校准电路。具体的包括SW采样电路和过零比较器ZCD，SW采样电路输入端连接AGND、SW与基准电压VREF，SW采样电路输出端为6位Trimming信号Trim6:1，连接过零比较器ZCD的修调端；所述过零比较器ZCD的输入端为PGND，AGND与Trim6:1，过零比较器ZCD输出端为控制信号ZCD_OUT；SW采样电路通过检测SW电压的大小产生自校准信号Trim6:1，控制过零比较器ZCD的过零检测精度。其特征在于：本发明所提出的一种用于大电流Buck的过零比较器自动校准电路，无需片外修调即可自适应控制过零检测精度，可广泛应用于大电流DC‑DC同步整流，提高了工作于DCM模式时的电源效率。

主权项：1.一种用于大电流Buck的过零比较器自动校准电路，其特征在于，包括SW采样电路和过零比较器ZCD；所述SW采样电路的输入端连接Buck变换器的SW点、上管控制信号、模拟地信号、基准电压和使能信号，输出端连接到过零比较器ZCD中的修调电阻的修调端；所述过零比较器ZCD的同相输入端连接功率地信号，反相输入端连接模拟地信号，输出端为用于大电流Buck的过零比较器的控制信号Trim6:1；所述SW采样电路包括SW检测模块、比较器Comp和6位计数器Count6，其中SW检测模块包括电流源、第一电阻R1、第二电阻R2、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第一NLDMOS管；第一MOS管M1其栅极连接基准电压，其源极连接电流源，第一MOS管M1的漏极连接模拟地信号；第二MOS管M2的漏极连接电源，其源极连接第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端连接至第二电阻R2的一端与比较器Comp的第一输入端；第二电阻R2的另一端连接第三MOS管M3的漏极与第一NLDMOS管的源极；第一NLDMOS管的栅极连接上管控制信号的取反信号，第一NLDMOS管的漏极连接SW点；第三MOS管M3的栅极连接上管控制信号，其源极连接模拟地信号；比较器Comp的第二输入端连接模拟地信号，比较器Comp的输出端连接6位计数器Count6的第一输入端；6位计数器Count6的第二输入端为SW采样电路的使能信号，6位计数器Count6的输出端Trim6:1为SW采样电路的输出端；所述过零比较器ZCD包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第三电阻R3、第四电阻R4、Trimming电阻、施密特触发器和反相器；所述第四MOS管M4的栅极与漏极连接电流沉的上端与第五MOS管M5的栅极、第八MOS管M8的栅极，第四MOS管M4的源极连接电源；所述第五MOS管M5的源极连接电源，其漏极连接第七MOS管M7的源极、第六MOS管M6的源极；所述第六MOS管M6的栅极为过零比较器ZCD的反相输入端连接模拟地信号，其漏极连接第四电阻R4的一端与第十MOS管M10的栅极；所述第七MOS管M7的栅极为过零比较器ZCD的同相输入端连接功率地信号，其漏极连接第三电阻R3的上端与M9的栅极；所述第三电阻R3其下端连接模拟地AGND；所述第四电阻R2其下端连接Trimming电阻的上端；所述Trimming电阻的修调端连接SW采样电路的输出端，Trimming电阻的下端连接模拟地信号；所述第八MOS管M8的源极连接电源，其漏极连接第九MOS管M9的源极、第十MOS管M10的源极；所述第九MOS管M9的漏极连接第十一MOS管M11的栅极和漏极、第十二MOS管M12的栅极；所述第十MOS管M10的漏极连接第十二MOS管M12的漏端与施密特触发器的输入端；所述第十一MOS管M11的源极连接模拟地信号；所述第十二MOS管M12的源极连接模拟地信号；所述施密特触发器的输出端连接反相器的输入端；所述反相器的输出端为过零比较器ZCD的输出端输出ZCD_OUT。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种用于大电流Buck的过零比较器自动校准电路

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