申请/专利权人：浙江求是半导体设备有限公司

申请日：2024-03-15

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117904719A

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;H01L21/02;C30B25/18;C30B31/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及一种N型SiC外延片及其制备方法。该N型SiC外延片的制备方法，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉的反应腔室内；先向反应腔室通入硅源气体1s‑30s，然后向反应腔室通入混合气体1s‑30s，循环上述步骤直至形成第一缓冲层，混合气体包括碳源和N2；向反应腔室同时通入硅源气体和混合气体，在第一缓冲层的表面形成第二缓冲层；在第二缓冲层的表面形成外延层并对外延层进行N掺杂，得到N型SiC外延片。该N型SiC外延片的制备方法能够使SiC主要以台阶流动生长模式进行外延生长，很好的避免了三角形缺陷的产生，提高了制得的N型SiC外延片的质量。

主权项：1.一种N型SiC外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiC衬底置于外延炉的反应腔室内；先向所述反应腔室通入硅源气体1s-30s，然后向所述反应腔室通入混合气体1s-30s，循环上述步骤直至形成第一缓冲层，所述混合气体包括碳源和N2；向所述反应腔室同时通入所述硅源气体和所述混合气体，在所述第一缓冲层的表面形成第二缓冲层；在所述第二缓冲层的表面形成外延层并对所述外延层进行N掺杂，得到N型SiC外延片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江求是半导体设备有限公司 N型SiC外延片及其制备方法

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