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申请/专利权人：华东理工大学
申请日：2024-01-18
公开（公告）日：2024-04-19
公开（公告）号：CN117903486A
主分类号：C08J9/12
分类号：C08J9/12;C08L67/04;C08K5/29;C08K3/34
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：本发明提供了一种低密度PLA发泡材料的制备方法，属于聚合物发泡领域。本发明通过添加合适的抗水解剂抑制PLA水解，并能与PLA发生支化反应，使PLA具有长链支化结构，进而能支撑泡孔的生长；成核剂提高了泡孔成核密度；通过调整第一饱和吸附时间缓解了PLA的水解导致的熔体强度不足的问题，并且本发明范围内第一饱和吸附时间可使气体发泡剂充分溶解于聚合物中，从而使得气体发泡剂足以支持发泡过程中泡孔的成核和生长；通过控制第一饱和吸附的温度使得PLA熔体强度可以支撑泡孔生长；通过调整第一饱和吸附的压力使得吸附后的气体足以支持泄压发泡过程中泡孔的成核和生长过程；采用三次泄压发泡也进一步提高了PLA发泡材料的发泡倍率。
主权项：1.一种低密度PLA发泡材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将PLA、抗水解剂和成核剂共混，发生支化反应，将所得混合物进行造粒，得到待发泡体；所述抗水解剂为碳化二亚胺、异氰酸酯、噁唑啉和环氧化合物中的一种或多种；将所述待发泡体与第一水混合后，在含有第一气体发泡剂的氛围中进行第一饱和吸附后进行第一泄压发泡，得到一次发泡体；所述第一饱和吸附的温度为Tm-70℃～Tm-10℃，所述Tm为所述PLA的熔融温度；压力为4～20MPa，时间为d1×60～180min，d1为待发泡体的半径，单位为mm；将所述一次发泡体在含有第二气体发泡剂的氛围中进行第二饱和吸附后进行第二泄压发泡，得到二次发泡体；所述第二饱和吸附的温度为Tm-130℃～Tm-70℃；将所述二次发泡体与第二水混合后，进行第三饱和吸附后进行第三泄压发泡，得到所述低密度PLA发泡材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东理工大学 一种低密度PLA发泡材料的制备方法
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