申请/专利权人:格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日:2023-09-18
公开(公告)日:2024-04-19
公开(公告)号:CN117913094A
主分类号:H01L27/092
分类号:H01L27/092;H01L27/02
优先权:["20221018 US 17/968404"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要:本公开涉及半导体结构,更具体地说,涉及具有横向渐变沟道区的器件和制造方法。该结构包括PFET区,该PFET区具有位于栅极材料下方的横向渐变半导体沟道区。
主权项:1.一种结构,包括:PFET区,其包括位于栅极材料下方的横向渐变半导体沟道区。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有横向渐变沟道区的器件
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