申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2023-10-17

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117907657A

主分类号：G01R19/00

分类号：G01R19/00

优先权：["20221018 US 18/047,479"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.19#公开

摘要：本公开的实施例涉及磁场电流传感器的磁场整形。电流传感器系统包括磁场传感器和三个导体结构，磁场传感器包括芯片平面、对在平行于芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感的第一传感器元件集合，以及对在垂直于芯片平面的第二方向上对齐的第二磁场分量敏感的第二传感器元件集合；三个导体结构彼此平行布置，并且被配置成承载平行于或反平行于第三方向的电流，第三方向垂直于第一方向和第二方向。三个导体结构基于流过其中的电流生成三个磁场，其中三个磁场产生第一磁场分量的第一磁场分布和第二磁场分量的第二磁场分布。

主权项：1.一种电流传感器系统，包括：磁场传感器，包括芯片平面、第一传感器元件集合以及第二传感器元件集合，所述第一传感器元件集合对在平行于所述芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感，所述第二传感器元件集合对在垂直于所述芯片平面的第二方向上对齐的第二磁场分量敏感，其中所述第一传感器元件集合包括第一传感器元件和第二传感器元件，并且其中所述第二传感器元件集合包括第三传感器元件和第四传感器元件；第一导体结构，在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上穿过所述电流传感器系统的第一部分，其中所述第一导体结构被配置成承载平行于所述第三方向的电流；第二导体结构，被电连接到所述第一导体结构，其中所述第二导体结构在所述第三方向上穿过所述电流传感器系统的第二部分，其中所述第二导体结构被配置成承载反平行于所述第三方向的所述电流；以及第三导体结构，被电连接到所述第二导体结构，其中所述第三导体结构在所述第三方向上穿过所述电流传感器系统的第三部分，其中所述第三导体结构被配置成承载平行于所述第三方向的所述电流，其中所述第一导体结构基于流过其的所述电流产生第一磁场，所述第二导体结构基于流过其的所述电流产生第二磁场，并且所述第三导体结构基于流过其的所述电流产生第三磁场，并且其中所述第一磁场、所述第二磁场和所述第三磁场产生所述第一磁场分量的第一磁场分布和所述第二磁场分量的第二磁场分布。

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