申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2023-10-17
公开(公告)日:2024-04-19
公开(公告)号:CN117913062A
主分类号:H01L23/498
分类号:H01L23/498;H01L23/49;H10B80/00
优先权:["20221018 US 18/047,411"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.04.19#公开
摘要:本申请的实施例涉及具有电连接件切口的电介质中介层。本文中所描述的实施方案涉及各种半导体装置组合件。在一些实施方案中,一种半导体装置组合件可包含:基层;电介质中介层,其耦合到所述基层且包含面向所述基层的第一外表面及背离所述基层并在一方向上与所述第一外表面间隔开的相对第二外表面;所述第二外表面中的第一电连接件切口,其在所述方向上朝向所述第一外表面延伸;及一或多个第一电连接件,其安置在所述第一电连接件切口内使得所述一或多个第一电连接件的至少一部分在所述方向上不会延伸超过所述第二外表面。
主权项:1.一种半导体装置组合件,其包括:基层;电介质中介层,其耦合到所述基层且包含面向所述基层的第一外表面及背离所述基层并在一方向上与所述第一外表面间隔开的相对第二外表面;所述第二外表面中的第一电连接件切口,其在所述方向上朝向所述第一外表面延伸;及一或多个第一电连接件,其安置在所述第一电连接件切口内使得所述一或多个第一电连接件的至少一部分在所述方向上不会延伸超过所述第二外表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 美光科技公司 具有电连接件切口的电介质中介层
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